Gama de frecuencia: | 225~512MHz | Gane (tipo): | 44dB |
---|---|---|---|
De potencia de salida (tipo): | 39dBm | Corriente quieta: | 60mA |
Alta luz: | amplificador de potencia del rf,amplificador de potencia mmic |
Módulo del amplificador de potencia del amplificador 225~512MHz 8W de TXtelsig YPM02054439 RF
El YPM02054439 es una alta ganancia, de alta potencia, y el módulo altamente integrado del amplificador de potencia (PAM) piensa para la TETRA comunicación que requiere hasta 8W de potencia de salida. El PAM provee de un aumento típico de 44 DB y de potencia de salida de 8W la entrada de señal del CW, la condición quieta típica del prejuicio es 28V en 60mA, la entrada y la salida internamente se hacen juego y requieren un mínimo de componentes a juego externos, internamente se integra con la unidad detectada poder y el ESD protege la unidad. El YPM02054439 se contiene dentro de 8 avances miniatura, paquete de 10×10×1.1mm3 LGA.
Características
■gama de frecuencia 225~512MHz
■aumento 44dB (tipo)
■39dBm de potencia de salida (tipo)
■≥15dB entró la pérdida de vuelta
■operación 28V
■corriente quieta 60mA
■Entrada y salida internamente hechas juego
■Unidad detectada poder internamente integrado
■Unidad integrada de la protección del ESD
■InGaP avanzado/tecnología del pHEMT del GaAs HBT y de GaN
■Paquete 10×10×1.1mm3 de LGA
Usos
■TETRA
■RADIO MODEM
Información el ordenar
■Módulo del amplificador de potencia de YPM02054439 225~512MHz
■Comité de Evaluación de YPM02054439-EVB 225~512MHz YPM02054439
¡Precaución! Dispositivo sensible del ESD
Grado del ESD: Class1C
Valor: Passes≥1000V mínimo.
Prueba: Modelo del cuerpo humano (HBM)
Estándar: JEDEC JESD22-A114 estándar
Grado del ESD: Clase IV
Valor: Pasos ≥1000V mínimos.
Prueba: Modelo cargado del dispositivo (CDM)
Estándar: JEDEC JESD22-C101 estándar
Grado de MSL: Llano 3 en la convección de +260 °C
flujo
Estándar: JEDEC J-STD-020 estándar
Parámetro | Grado | Unidad |
Poder entrado del RF | 0 | dBm |
1r voltaje de fuente de la etapa | -0,5 a +6,0 | V |
2do voltaje de fuente de la etapa | -0,5 a +28,0 | V |
1r voltaje de polarización | -0,5 a +3,3 | V |
1o voltaje de polarización | -5,0 a -2,0 | V |
Temperatura ambiente de funcionamiento | -40 a +85 | °C |
Temperatura de almacenamiento | -55 a +150 | °C |
Pin Description | ||
Pin No. | Símbolo | Descripción |
1 | RF ADENTRO | Entrada del RF |
2 | VB | 1r voltaje de polarización |
3 | NC | Ningún conecte |
4 | VG | 2do voltaje de polarización |
5 | SALIDA DEL RF | Salida del RF |
6 | VDD | 2do voltaje de fuente de la etapa |
7 | PDET | Detector del poder |
8 | VCC | 1r voltaje de fuente de la etapa |
9 | Tierra | La tierra conecta |